第七十一章 45纳米（3/3）
长达两年时间的研究之后，新一代光刻机终于制造成型，在李青松略有些激动的心情之中，开始了新一代芯片的试制工作。
高度纯净的硅片被送入到了光刻机之中，完成光刻胶的涂覆之后，采取更高频率的深紫外光源的光刻机，使用波长约为200纳米的紫外线对其进行曝光。
按照之前便完成的芯片设计方案，无数微小的电路出现在了这小小的一枚芯片之上。
再经过后续的掺杂、清洗、蚀刻、封装等工艺，最终，一枚小小的芯片呈现在了李青松面前。
这枚芯片，与之前旧工艺制造出来的芯片，大小一模一样。
但李青松知道，这枚芯片上集成的晶体管，数量达到了10亿个。而之前采取800纳米工艺制造的芯片，其晶体管数量仅有约320万个而已。
足足提升了300多倍！
虽然晶体管数量的提升并不能直接等同于性能的提升，但粗略估计的话，其性能提升至少也在百倍以上！
不仅如此，它的可靠性、能耗、发热等方面也出现了巨大的提升。
看着这枚小小的芯片，李青松心中满是欢喜。
“45纳米制程的芯片虽然也不是太先进，但至少，总归是摸到了技术的门槛，可以在它的基础上开发技术了！”
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